一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件在沟槽内制作沟槽源结构、P型多晶硅和沟槽栅结构，其中，沟槽源结构可以降低栅漏电容(Cgd)，降低开关损耗，当源介质层选用高K介质材料时，能够有效降低源介质电场强度；P型多晶硅实现HJD在N沟道SiC沟槽栅功率MOSFET中的集成，HJD具有更低的正向导通压降，同时抑制体二极管导通，避免双极退化引起的可靠性问题，集成的HJD没有额外增加芯片面积。集成的SiC HJD是单极型器件，反向恢复特性优于双极型的体二极管，而且由于没有外接二极管引线带来的寄生参数，稳定性更好。此外，该器件制作工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111697077A
申请号 ：
CN202010561201.4
公开（公告）日 ：
2020-09-22
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN111697077B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
张金平陈子珣涂元元刘竞秀张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
霍淑利
优先权 ：
CN202010561201.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/417 H01L21/336
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20200618
申请日 : 20200618
2020-09-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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