用于闪存工艺的控制栅剖面
授权
摘要
一种非易失性存储器件具有浮栅和控制栅。浮栅包括基本上垂直的剖面并提供电荷存储机制以设定具体的阈值电压。控制栅包括斜剖面以提高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
用于闪存工艺的控制栅剖面
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128923A
申请号 ：
CN200680005622.7
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-01-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·弗兰恰里尼D·阿尔奇迪亚科诺
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200680005622.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L29/423 H01L29/788
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-09-08 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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