闪存微控制器
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种闪存微控制器,包括Flash存储器和外设单元,其中还包括:低电压检测单元,用于对系统电压进行检测,当系统电压低于预设的电压阈值时,发出LVD信号;滤波单元,用于对LVD信号进行滤波,当LVD信号的信号宽度大于预设的宽度阈值时,向内核单元发送LVD信号;内核单元,与Flash存储器和外设单元相连,用于当接收到LVD信号后,将Flash存储器中的用户程序区所对应的程序计数器的内容进行保持,并向外设单元发送复位或中断信号。通过本实施例所述闪存微控制器,由于对系统电压进行了监控,因此在受到EMC干扰或其他外部干扰的影响时,仍然能够保证Flash存储器及闪存微控制器的正常工作,从而提高了高集成度MCU的可靠性。
基本信息
专利标题 :
闪存微控制器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820054710.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-15
授权号 :
CN201146055Y
授权日 :
2008-11-05
发明人 :
岳卫杰李霄邹展袁俊潘松
申请人 :
上海海尔集成电路有限公司
申请人地址 :
200030上海市中山南二路1089号15楼
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
刘芳
优先权 :
CN200820054710.2
主分类号 :
G11C16/30
IPC分类号 :
G11C16/30 G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/30
供电电路
法律状态
2018-02-09 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : G11C 16/30
申请日 : 20080115
授权公告日 : 20081105
申请日 : 20080115
授权公告日 : 20081105
2008-11-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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