本发明公开了一种闪存，包括：栅极叠层结构、通道柱、第一导体柱以及第二导体柱以与栅介电层。栅极叠层结构包括彼此电性绝缘的多层栅极层。每一层栅极层包括：第一栅极部、第二栅极部与铁电部。所述第二栅极部的厚度小于所述第一栅极部的厚度。铁电部设置于所述第一栅极部的所述侧壁与所述第二栅极部的侧壁之间。通道柱，贯穿所述栅极叠层结构。第一导体柱以及第二导体柱，设置所述通道柱内并贯穿所述栅极叠层结构。所述第一导体柱与所述第二导体柱彼此分隔开且各自与所述通道柱连接。栅介电层设置于所述第一栅极部的另一侧壁与所述通道柱之间。