本发明提供一种NOR闪存的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极叠层；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述衬底及所述栅极叠层的外壁，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的氧化层、氮化硅层及第一多孔碳层；刻蚀所述堆叠层形成露出所述衬底的第一开口，所述第一开口位于相邻的所述栅极叠层之间；对所述第一开口下方的所述衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一漏区；通过热氧工艺去除所述第一多孔碳层；在所述第一漏区上形成自对准金属硅化物层。所述衬底及所述氧化层在热氧工艺中不发生反应，避免在去除所述第一多孔碳层的过程中对所述衬底及所述氧化层造成的侧向刻蚀，进而保证自对准工艺窗口的准确性，减少漏电现象。