部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案
实质审查的生效
摘要
本发明涉及部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括有源区、n阱区以及分隔有源区与n阱区的隔离区。可以设置浮置栅极。浮置栅极可以布置在有源区的一部分和n阱区的第一部分上方。有源区中的第一掺杂区可以在第一侧相对于浮置栅极横向移位，并且有源区中的第二掺杂区可以在与第一侧相反的第二侧相对于浮置栅极横向移位。接触可以布置在n阱区上方，其中接触可以相对于在n阱区的第一部分上方的浮置栅极的第一拐角横向移位。硅化物排斥层可以至少部分地布置在浮置栅极上方。
基本信息
专利标题 ：
部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464665A
申请号 ：
CN202111140754.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蓝翔陈学深蔡新树卓荣发孙永顺
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111140754.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/11521
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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