存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置
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摘要

本发明公开了一种存取一闪存模块的方法,其中所述闪存模块是包括了多个闪存芯片的一立体闪存模块,每一个闪存芯片包括了多个区块,每一个区块包括了多个数据页;以及所述方法包括有:规划所述多个闪存芯片以使得所述多个闪存芯片具有至少一第一超级区块以及至少一第二超级区块;以及指派所述至少一第二超级区块以用来储存在一数据写入至所述至少一第一超级区块的过程中所编码产生的多组暂时性的校验码。本发明的有益之处在于,除了可以对数据写入错误、字线断路以及字线短路所造成的数据读取错误进行更正之外,也可以大幅降低闪存控制器中缓冲存储器的容量需求,故可以大幅降低闪存控制器的成本以及闪存模块的使用效率。

基本信息
专利标题 :
存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111951855A
申请号 :
CN202010697066.6
公开(公告)日 :
2020-11-17
申请日 :
2017-04-26
授权号 :
CN111951855B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
杨宗杰许鸿荣
申请人 :
慧荣科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹县
代理机构 :
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 :
江耀纯
优先权 :
CN202010697066.6
主分类号 :
G11C16/08
IPC分类号 :
G11C16/08  G11C16/10  G11C16/04  
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法律状态
2022-05-10 :
授权
2020-12-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/08
申请日 : 20170426
2020-11-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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