改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置
授权
摘要

本发明公开了一种管理闪存模块的多个存储单元的方法。所述方法包括:针对每一第一存储单元的数据写入时间建立对应于所述第一存储单元的编程时戳;根据所述第一存储单元的所述编程时戳,选择相对应的读取重试表来对所述第一存储单元进行读取操作;以及根据已写入数据的第一存储单元的编程时戳,执行第一刷新操作。通过周期性地对已写入数据的第一存储单元进行刷新,并且在每个使用历程中执行前一个使用历程中有写入的存储单元,本发明能够有效地减少所需的读取重试表的数量。此外,通过周期性地选择第二存储单元的部分进行错误检查,本发明能够更好地保证读读取重试表的数量在减少后仍能有效率地进行读取重试,进而改善读取重试的效率。

基本信息
专利标题 :
改善闪存的读取重试的方法、控制器以及相关存储装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111429960A
申请号 :
CN201910111370.5
公开(公告)日 :
2020-07-17
申请日 :
2019-02-12
授权号 :
CN111429960B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
杜建东蔡璧如杨宗杰
申请人 :
慧荣科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹县
代理机构 :
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 :
江耀纯
优先权 :
CN201910111370.5
主分类号 :
G11C16/10
IPC分类号 :
G11C16/10  G11C16/26  G06F3/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2022-05-24 :
授权
2020-08-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/10
申请日 : 20190212
2020-07-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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