非易失性存储器装置及其读取方法和控制器
公开
摘要
公开了非易失性存储器装置及其读取方法和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块和控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为响应于第一读取命令而对连接到所述多个存储器块之中的响应于地址而选择的存储器块的一条字线的存储器单元执行第一页片上谷搜索(OVS)操作。控制逻辑电路还被配置为使用第一页OVS操作的检测信息来改变至少一个状态的读取电平，并且响应于第二读取命令而使用改变的读取电平对存储器单元执行第二页读取操作。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器装置及其读取方法和控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446361A
申请号 ：
CN202111082318.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金真怜朴世桓徐荣德朴一汉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
方成
优先权 ：
CN202111082318.5
主分类号 ：
G11C16/26
IPC分类号 ：
G11C16/26 G11C16/08 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/26
读出或读电路；数据输出电路
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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