更新非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移
实质审查的生效
摘要

根据一种方法,一种计算机实现的方法包括:通过计算给定页的第一数目的独立读取电压偏移值,使用第一校准方案来校准块中的给定页(606)。尝试读取经校准的给定页(608),且响应于确定在尝试读取经校准的给定页时发生错误校正码失败,使用第二校准方案来重新校准块中的给定页(612)。第二校准方案被配置为计算给定页的第二数目的独立读取电压偏移值。还尝试读取重新校准的给定页(614)。响应于确定在尝试读取重新校准的给定页时确实发生错误校正码失败,发送用于重定位存储在给定页中的数据的一个或多个指令(618)。

基本信息
专利标题 :
更新非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114556303A
申请号 :
CN202080073128.4
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2020-10-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
N·帕潘德尔欧C·波奇蒂斯N·约安努R·普莱卡R·斯托伊卡S·托米克A·弗赖伊T·费希尔
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 :
申发振
优先权 :
CN202080073128.4
主分类号 :
G06F11/07
IPC分类号 :
G06F11/07  G06F11/10  G11C16/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F11/00
错误检测;错误校正;监控
G06F11/07
响应错误的产生,例如,容错
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 11/07
申请日 : 20201016
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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