读取电压电平校正方法、存储器存储装置及控制电路单元
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种读取电压电平校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。此方法包括：使用第一读取电压电平作为起始读取电压电平来对多个实体单元中的第一实体单元执行第一数据读取操作，以取得被用来成功读取第一实体单元的第二读取电压电平；将第一读取电压电平以及第二读取电压电平之间的关联信息记录在暂态查找表；以及根据读取电压电平追踪表以及暂态查找表中所记录的关联信息执行第二数据读取操作。
基本信息
专利标题 ：
读取电压电平校正方法、存储器存储装置及控制电路单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360612A
申请号 ：
CN202210022113.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾士家曹峻玮林晓宜林纬
申请人 ：
群联电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202210022113.6
主分类号 ：
G11C16/26
IPC分类号 ：
G11C16/26 G11C16/30 G11C7/08 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/26
读出或读电路；数据输出电路
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/26
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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