将多电平权重精确写入用于存储器内计算的存储器设备
公开
摘要
本公开涉及将多电平权重精确写入用于存储器内计算的存储器设备。用于将权重值精确写入能够将多个电平存储在每个单元中的存储器的系统和方法被公开。实施例包括逻辑，该逻辑用于将从存储器单元读取的电参数与基值参考和间隔参考进行比较，且在电参数介于基值参考与基值加间隔参考之间时停止写入。间隔可使用比所存储电平的数目更大数目的电平来确定，以防止由于存储器设备变化引起的电参数的读取值的可能重叠。
基本信息
专利标题 ：
将多电平权重精确写入用于存储器内计算的存储器设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627911A
申请号 ：
CN202111321350.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克利福德·翁赵育伶德米特里·E·尼科诺夫伊恩·杨埃里克·A·卡尔
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202111321350.4
主分类号 ：
G11C5/14
IPC分类号 ：
G11C5/14 G06N3/06 G06N3/063
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/14
电源装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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