写入到交叉点非易失性存储器
授权
摘要
本申请案涉及写入到交叉点非易失性存储器。描述针对非易失性存储器阵列的用于在目标存储器单元的重复存取操作期间防止对非目标存储器单元的干扰的方法、系统及装置。多个存储器单元可与共同导电线电子通信，且每一存储器单元可具有电非线性选择组件。在对目标存储器单元的存取操作(例如，读取或写入操作)之后，可通过将放电电压施加到所述共同导电线将非目标存储器单元放电。所述放电电压可(例如)具有与所述存取电压相反的极性。在其它实例中，可在存取尝试之间建立延迟以便将所述非目标存储器单元放电。
基本信息
专利标题 ：
写入到交叉点非易失性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111968687A
申请号 ：
CN202010864196.4
公开（公告）日 ：
2020-11-20
申请日 ：
2017-06-02
授权号 ：
CN111968687B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王蓓A·卡德罗尼W·肯尼A·约翰逊D·V·N·拉马斯瓦米
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202010864196.4
主分类号 ：
G11C11/22
IPC分类号 ：
G11C11/22 G11C11/56 G11C14/00 H01L27/11502 H01L27/11507
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法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-12-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/22
申请日 : 20170602
申请日 : 20170602
2020-11-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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