交叉点非易失性存储器件及其制造方法
授权
摘要
一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。二元金属氧化物层被设置在上电极和下电极之间，以及被设为数据存储材料层。掺杂区被设置在下电极和掺杂线之间，以及与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。
基本信息
专利标题 ：
交叉点非易失性存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812096A
申请号 ：
CN200510120457.7
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白寅圭李文淑
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510120457.7
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2011-07-06 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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