本发明描述用于存储器装置的自适应写入操作的方法、系统及装置。在实例中，所述技术可包含：识别对存储器阵列执行的存取操作的数量；基于存取操作的所述经识别数量修改写入操作的一或多个参数；及通过根据所述一或多个经修改参数执行所述写入操作而将逻辑状态写入到所述存储器阵列。在一些实例中，所述存储器阵列可包含与例如硫族化物材料的可配置材料元件相关联的存储器单元，所述可配置材料元件基于所述材料元件的材料性质存储逻辑状态。在一些实例中，所述技术可至少部分补偿归因于随着时间的老化或其它降级或改变(例如，归因于经积累存取操作)的存储器材料性质的改变。