在非易失性存储器件中写入数据的方法、非易失性存储器件和操...
公开
摘要
提供了在非易失性存储器件中写入数据的方法、执行写入数据的方法的非易失性存储器件以及使用写入数据的方法操作存储系统的方法。在非易失性存储器件中写入数据的方法中，接收写入命令、写入地址和要被编程的写入数据。在表示验证电平的偏移信息被提供时，接收偏移信息。当通过检查写入数据的输入/输出(I/O)模式而确定写入数据对应于分布劣化模式时，提供偏移信息。当接收到偏移信息时，基于偏移信息对写入数据进行编程，使得存储了写入数据的存储单元的阈值电压分布中包括的多个状态当中的至少一个状态改变。
基本信息
专利标题 ：
在非易失性存储器件中写入数据的方法、非易失性存储器件和操作存储系统的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582401A
申请号 ：
CN202111228000.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李侊祐金灿河李熙元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111228000.3
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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