计算非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移
公开
摘要
根据一种方法，一种计算机实现的方法用于校准存储器块的读取电压。该计算机实现的方法包括：确定其中包括一个以上字线的块的当前操作状态，并且其中一个以上读取电压与所述字线中的每一个相关联。此外，对于块中的字线中的每一个：选择与给定字线相关联的读取电压之一作为参考读取电压，并且计算参考读取电压的绝对移位值。确定与给定字线相关联的剩余读取电压中的每一个的相对移位值，其中，相对于参考读取电压确定相对移位值。此外，使用绝对移位值和相应相对移位值中的每一个来调整与给定字线相关联的读取电压中的每一个。
基本信息
专利标题 ：
计算非易失性随机存取存储器中的校正读取电压偏移
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631147A
申请号 ：
CN202080074453.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·帕潘德罗C·波兹蒂斯N·伊安努R·普赖特卡R·斯托伊卡S·托米克T·费希尔A·弗赖
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN202080074453.2
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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