组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法

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摘要

本发明的组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法中，在第一数据读取周期，选中存储单元的第一存储管的字线施加零伏电压而第二存储管的字线施加开启电压，与选中存储单元不同行的非选中存储单元的第一存储管的字线施加补偿正电压而第二存储管的字线施加关断负电压；在第二数据读取周期，选中存储单元的第二存储管的字线施加零伏电压而第一存储管的字线施加开启电压，非选中存储单元的第二存储管的字线施加补偿正电压而第一存储管的字线施加关断负电压。通过两个数据读取周期的配合，关断负电压产生的软擦除作用可以通过补偿正电压产生的软编程作用来补偿，从而在不增加额外电路和读周期时间的情况下，降低读取干扰发生的概率。

基本信息

专利标题：

组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114171091A

申请号：

CN202210131433.5

公开（公告）日：

2022-03-11

申请日：

2022-02-14

授权号：

CN114171091B

授权日：

2022-05-03

发明人：

禹小军金波

申请人：

杭州领开半导体技术有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市余杭区余杭街道文一西路1818-2号1幢109-3室

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司

代理人：

王宏婧

优先权：

CN202210131433.5

主分类号：

G11C16/08

IPC分类号：

G11C16/08 G11C16/26 G11C16/34