一种非易失存储电路，提供具有多个参考单元的参考存储器，该参考存储器通过互连导体条状物在一组检测放大器中共享。每一参考存储器中具有的存储单元的数目越多，就可以产生较大电流用以对多个源极线充电。所述多个源极线耦接至该互连导体条状物，以产生与耦接至主存储阵列中存储单元的源极线的电容匹配。当硅晶圆产出后，分别测量主存储阵列源极线的电容值以及参考阵列源极线的电容值，从而决定是否进行裁减。可通过裁减耦接至该互连导体条状物与该参考存储器的一组源极线之一来进一步调整电容匹配，或者通过减掉源极线的一段或是增长源极线的一段。