存储器中的第一读取对策
授权
摘要

提供了一种设备,其包括:存储器单元的区块;以及控制电路,其配置为响应于执行涉及所述区块的所选存储器单元的感测的操作的命令,执行该操作,且在操作之后,执行存储器单元的区块的软擦除。还公开了一种方法:将通过电压施加到连接的存储器单元的集的未选择的存储器单元时,将感测电压施加到连接的存储器单元的集中的所选存储器单元;在施加感测电压时,感测所选存储器单元;在感测之后,将未选择的存储器单元的控制栅极电压从通过电压驱动到较低电平,导致连接的存储器单元的集的沟道的电压的向下耦合;在较低电平下驱动控制栅极电压时,在沟道中产生空穴电流以中和沟道的电压;且在产生空穴电流之后,浮置未选择的存储器单元的控制栅极电压。

基本信息
专利标题 :
存储器中的第一读取对策
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108538331A
申请号 :
CN201810204689.8
公开(公告)日 :
2018-09-14
申请日 :
2018-02-13
授权号 :
CN108538331B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
D.杜塔I.阿尔罗德曾怀远A.德赛万钧谢锦昌S.普特恩塞马达姆
申请人 :
桑迪士克科技有限责任公司
申请人地址 :
美国得克萨斯州
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邱军
优先权 :
CN201810204689.8
主分类号 :
G11C16/14
IPC分类号 :
G11C16/14  G11C16/26  G11C16/34  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路,例如擦除电压开关电路
法律状态
2022-04-19 :
授权
2018-10-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/14
申请日 : 20180213
2018-09-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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