存储器中的第一读取对策
授权
摘要

提供了一种用于改善存储器单元的读取操作的精度的技术,其中存储器单元的阈值电压可以根据字线的向上耦合状态而移位。在一种方法中,为了读取操作,检测区块中的代表性字线电压,并且选择对应的读取电压集。在另一种方法中,恰在读取所选单元之前,响应于读取命令,将预读取电压脉冲施加到所选字线。在另一种方法中,将电压脉冲周期性地施加到区块中的每个字线,以提供处于向上耦合状态的字线。在另一种方法中,在读取操作之后执行软擦除,以防止字线的向上耦合。

基本信息
专利标题 :
存储器中的第一读取对策
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108538330A
申请号 :
CN201810149225.1
公开(公告)日 :
2018-09-14
申请日 :
2018-02-13
授权号 :
CN108538330B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
D.杜塔I.阿尔罗德曾怀远A.德赛万钧谢锦昌S.普特恩塞马达姆
申请人 :
桑迪士克科技有限责任公司
申请人地址 :
美国得克萨斯州
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邱军
优先权 :
CN201810149225.1
主分类号 :
G11C16/14
IPC分类号 :
G11C16/14  G11C16/26  G11C16/34  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路,例如擦除电压开关电路
法律状态
2022-05-24 :
授权
2018-10-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/14
申请日 : 20180213
2018-09-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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