具有其温度依赖性被补偿的电流的非易失性存储器单元及其数据...
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

非易失性半导体存储器器件包括存储器单元阵列(21),读电路(22,23,24,25,26,27,和33),编程电路(22,23,24,25,26和27),读电压生成电路(29),存储器电路(34),和切换电路(35)。读电压生成电路(29)生成和提供读电压到读电路。存储器电路(34)存储用来改变存储器单元阵列(21)中的存储器单元的温度特性的信息。切换电路(35)根据被存储在存储器电路(34)中的信息,改变由读电压生成电路(29)生成的读电压的温度依赖性。

基本信息
专利标题 :
具有其温度依赖性被补偿的电流的非易失性存储器单元及其数据读取方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1930634A
申请号 :
CN200580008076.8
公开(公告)日 :
2007-03-14
申请日 :
2005-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
竹内健二山拓也河合矿一
申请人 :
株式会社东芝
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
潘士霖
优先权 :
CN200580008076.8
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2021-12-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G11C 16/26
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2021-12-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : G11C 16/26
登记生效日 : 20211202
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
2021-12-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G11C 16/26
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2017-08-18 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101757274805
IPC(主分类) : G11C 16/26
专利号 : ZL2005800080768
登记生效日 : 20170728
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京
2009-08-05 :
授权
2007-05-16 :
实质审查的生效
2007-03-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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