存储装置的读取方法及非易失性存储器装置
公开
摘要
公开了存储装置的读取方法及非易失性存储器装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器。所述至少一个非易失性存储器装置通过根据命令锁存启用(CLE)信号和地址锁存启用(ALE)信号在写入启用(WE)信号的边沿锁存读取命令来执行片上谷搜索(OVS)操作。响应于特定命令，控制器从所述至少一个非易失性存储器装置接收根据OVS操作的检测信息。OVS操作包括使用读取电平的第一OVS操作和使用改变后的读取电平的第二OVS操作。
基本信息
专利标题 ：
存储装置的读取方法及非易失性存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496042A
申请号 ：
CN202111085058.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴世桓金真怜徐荣德朴一汉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
方成
优先权 ：
CN202111085058.7
主分类号 ：
G11C16/26
IPC分类号 ：
G11C16/26 G11C16/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/26
读出或读电路；数据输出电路
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
