本发明提供了一种浮栅存储器的制备方法，包括步骤：S1：刻蚀衬底的部分顶面以形成L型底栅；S2：在所述L型底栅的表面形成阻挡层；S3：在所述阻挡层的最低顶面形成浮栅层，然后在所述浮栅层的顶面形成隧穿层；S4：在所述隧穿层的顶面形成沟道层，然后在所述沟道层顶面形成源极和漏极，所述浮栅存储器进行擦除操作时，所述L型底栅对所述浮栅层进行能带调控以使所述浮栅层的价带提升到所述沟道层的导带上方，此时位于所述浮栅层的价带上的电子通过所述隧穿层到达所述沟道层的导带的几率增大，从而降低所述浮栅存储器的功耗和提高所述浮栅存储器的擦除速度。