栅氧化层测试结构及其制造方法、栅氧化层测试基板
授权
摘要
本发明提供了一种栅氧化层测试基板、栅氧化层测试结构及其制造方法。通过无掩模的第一离子注入工艺形成阱区，以及无掩模的第二离子注入工艺形成有源区，以减少栅氧化层测试结构的制造过程中掩模板的使用数量，以使本发明的栅氧化层测试结构的制造方法简单化且工艺流程简短化，进而使得使用本发明制造方法制造的栅氧化层测试结构以及栅氧化层测试基板测试周期缩短且成本降低。
基本信息
专利标题 ：
栅氧化层测试结构及其制造方法、栅氧化层测试基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111933544A
申请号 ：
CN202010811326.8
公开（公告）日 ：
2020-11-13
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN111933544B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
孙成洋钱俊
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202010811326.8
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/265 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-12-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200811
申请日 : 20200811
2020-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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