OCD测试图形结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种OCD测试图形结构，OCD测试图形结构形成于器件形成区域外部的半导体衬底上。半导体器件包括多个器件工艺层，OCD测试图形结构和器件工艺层中的被测试器件工艺层对应且用于对被测试器件工艺层的图形结构进行模拟。OCD测试图形结构采用由多个测试工艺层叠加而成的堆栈式结构，各测试工艺层和对应的各器件工艺层的工艺条件一一对应且具有对应的器件工艺层中的图形结构。本发明还公开了一种OCD测试图形结构的制造方法。本发明能克服图形负载效应对OCD测量精度的影响，提高OCD测量精度。
基本信息
专利标题 ：
OCD测试图形结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110416106A
申请号 ：
CN201910697715.X
公开（公告）日 ：
2019-11-05
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN110416106B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
曾翔旸叶荣鸿刘立尧
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201910697715.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-11-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20190730
申请日 : 20190730
2019-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
