三维存储器结构及其制造方法和测试方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种三维存储器结构的制造方法、根据该制造方法所制造的三维存储器结构以及对该三维存储器结构的测试方法。其中，所述制造方法包括：提供具有第一导电类型的衬底；在衬底中形成反掺杂区，反掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；在衬底上形成包括多个栅极层的叠层结构；以及将多个栅极层中的至少之一连接至反掺杂区，并将其余的栅极层中的至少之一连接至衬底。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器结构及其制造方法和测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530454A
申请号 ：
CN202210140670.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴继君
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210140670.8
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11582 G11C29/50
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20220216
申请日 : 20220216
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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