非易失性存储器结构及其制造方法

专利权的视为放弃

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括基底、第一存储单元列、第一源极区/漏极区及第二源极区/漏极区。第一存储单元列设置于基底上，第一存储单元列包括多个存储单元、两个选择栅极结构及多个掺杂区。选择栅极结构分别设置于这些存储单元中最外侧的存储单元的一侧的基底上，且选择栅极在远离存储单元的一侧具有一个斜角。掺杂区分别设置于两个存储单元之间的基底中及存储单元与选择栅极结构之间的基底中。第一源极区/漏极区与第二源极区/漏极区分别设置于第一存储单元列两侧的基底中。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101022111A

申请号：

CN200610004395.8

公开（公告）日：

2007-08-22

申请日：

2006-02-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

赖亮全王炳尧

申请人：

力晶半导体股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610004395.8

主分类号：

H01L27/115

IPC分类号：

H01L27/115 H01L29/78 H01L21/8247 H01L21/336 H01L21/28