一种嵌入式非易失性闪存存储器结构和制造方法及应用
公开
摘要
本发明属于闪存存储器技术领域，公开了一种嵌入式非易失性闪存存储器结构和制造方法及应用，嵌入式非易失性闪存存储器制造方法包括：清洗标准P型硅晶圆片；制造隧穿层；制造存储层；制造隔绝层；制造门级层；形成门级图案；形成源/漏级。本发明解决门级漏电问题，提高了隔绝层的效率，使得在门级加正电压的情况下，电荷存储层的电子穿过隔绝层的机率降低。存储器表现为错误率减少，使用寿命增加。本发明提高了闪存存储器的存储效率，使用金属微晶体代替了传统的氮化硅作为存储层；本发明提高了闪存存储的可靠性，存储层为离散结构的金属微晶体代替了传统的连续结构的氮化硅层，使得漏电对存储器性能的破坏性减少。
基本信息
专利标题 ：
一种嵌入式非易失性闪存存储器结构和制造方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566503A
申请号 ：
CN202210197945.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈一宁
申请人 ：
浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210197945.1
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L29/423 H01L29/51
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
