NORD闪存浮栅测试区域接通方法、接通结构、设备和存储介质

NORD闪存浮栅测试区域接通方法、接通结构、设备和存储介...

授权

摘要

本发明公开了一种NORD闪存浮栅测试区域接通方法，包括：在有源区上形成控制栅氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层和控制栅多晶硅层，并形成字线多晶硅；在设计接通控制栅接触孔位置保留控制栅，执行刻蚀在字线多晶硅一侧露出部分有源区；刻蚀形成逻辑栅同时打开测试区域接通区域的控制栅；在测试接通区域刻蚀到浮栅；执行接触孔工艺将控制栅、浮栅和有源区引出。本发明还公开了一种NORD闪存浮栅测试区域接通结构、终端设备和计算机可读存储介质。本发明不需要增加额外的光罩，在形成逻辑栅极的同时刻蚀开测试区域的控制栅实现浮栅接通，进而实现NORD闪存测试Coupling Oxide和ONO电学特性，能提高产品的品控。

基本信息

专利标题：

NORD闪存浮栅测试区域接通方法、接通结构、设备和存储介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112802848A

申请号：

CN202011415084.7

公开（公告）日：

2021-05-14

申请日：

2020-12-07

授权号：

CN112802848B

授权日：

2022-06-07

发明人：

张超然任小兵丁浩熊伟陈华伦

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

焦天雷

优先权：

CN202011415084.7

主分类号：

H01L27/11524

IPC分类号：

H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11536 H01L27/11548 H01L27/11558