一种嵌入式闪存单元结构

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种嵌入式闪存单元结构，其包括：衬底，包括有源器件区；形成于衬底的有源器件区中的阱；衬底上部的浅沟槽隔离层；位于衬底上部的沟道介电层；位于沟道介电层上部的多晶硅栅极；其特征在于，所述的多晶硅栅极延伸到浅沟槽隔离层内。与传统的两层多晶硅栅极闪存相比，本实用新型的工艺更简单；与传统的一层多晶硅栅极闪存相比，本实用新型的模块面积更小，从而降低了制造成本。

基本信息

专利标题：

一种嵌入式闪存单元结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720176513.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-12

授权号：

CN201111304Y

授权日：

2008-09-03

发明人：

王政烈赖丽香

申请人：

和舰科技(苏州)有限公司

申请人地址：

215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

包红健

优先权：

CN200720176513.3

主分类号：

H01L27/115

IPC分类号：

H01L27/115 H01L29/78 H01L29/423

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

H01L27/112

只读存储器结构的

H01L27/115

电动编程只读存储器；其多步骤制造方法

法律状态

2017-10-31 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 27/115
申请日 : 20070912
授权公告日 : 20080903

2008-09-03 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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