一种多层单元NAND闪存
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供了一种多层单元NAND闪存，与不同位线连接的NAND串连接至不同的源极线，源极线连接至对应的源极电压选择器，所有的源极电压选择器的电压输入端连接至一个或多个源极电压生成器。源极电压选择器的输入参数端可连接至对应的位线感测电路的锁存器模块。
基本信息
专利标题 ：
一种多层单元NAND闪存
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921361291.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-21
授权号 ：
CN210052532U
授权日 ：
2020-02-11
发明人 ：
陈惕生耿志远
申请人 ：
本征信息技术（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢206室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921361291.1
主分类号 ：
G11C16/26
IPC分类号 ：
G11C16/26 G11C16/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/26
读出或读电路；数据输出电路
法律状态
2021-12-31 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : G11C 16/26
登记生效日 : 20211220
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 本征信息技术（上海）有限公司
变更后权利人 : 本征信息技术（苏州）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢206室
变更后权利人 : 215000 江苏省苏州市高新区永安路19号1幢101室三层
登记生效日 : 20211220
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 本征信息技术（上海）有限公司
变更后权利人 : 本征信息技术（苏州）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢206室
变更后权利人 : 215000 江苏省苏州市高新区永安路19号1幢101室三层
2020-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
