Nor闪存DFN封装结构

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型公开了一种Nor闪存DFN封装结构，包括基板、封装于所述基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。本实用新型的封装结构的面积和厚度降低，从而使得体积更小，可以更广泛的应用在屛下指纹和摄像头等小型产品的需求。同时，因为封装体积的减小，也进一步降低了封装的成本。

基本信息

专利标题：

Nor闪存DFN封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920878219.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-12

授权号：

CN209822621U

授权日：

2019-12-20

发明人：

杨东恩唐维强

申请人：

深圳市芯天下技术有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLDF栋19层

代理机构：

深圳市顺天达专利商标代理有限公司

代理人：

郭伟刚

优先权：

CN201920878219.X

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L27/115

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/28

封装，例如密封层、涂覆物

H01L23/31

按配置特点进行区分的

法律状态

2021-03-26 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 23/31
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市芯天下技术有限公司
变更后 : 芯天下技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLDF栋19层
变更后 : 518000 广东省深圳市龙岗区园山街道荷坳社区龙岗大道8288号大运软件小镇10栋101

2019-12-20 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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