一种栅刻蚀的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及一种栅刻蚀的方法，包括BT步、主刻步和过刻步，其特征在于，所述的主刻步中所使用的气体含有Cl2、HBr和O2。该方法能够在不改变硬件设计的前提下，仅通过改变栅刻蚀工艺中主刻(Mainetch)工艺步骤的气体种类和配比来提高硅片表面工艺气体的气流均匀性，满足先进栅刻蚀工艺的需要。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性；还可以避免系统升级、节约大笔开支。同时，由于通入的混合气体在适当减少特气流量的同时可以保证刻蚀工艺的顺利进行，也就相应的降低了系统昂贵的特气消耗，从而有效地降低了系统的消耗成本。
基本信息
专利标题 ：
一种栅刻蚀的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848386A
申请号 ：
CN200510126266.1
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
练光东
优先权 ：
CN200510126266.1
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2018-08-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/3065
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
2008-02-13 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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