用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法
专利权的终止
摘要
公开了用于从互联、晶片级包装、和印刷电路板基底中除去光刻胶、聚合物、蚀刻后残余物、和氧灰化后残留物的改进的组合物和方法。一种方法，其包括使该基底与含有效量的有机铵化合物、约2～约20wt％的氧代铵化合物、任选的有机溶剂、和水的混合物接触。
基本信息
专利标题 ：
用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116178A
申请号 ：
CN200580045567.X
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·M·李
申请人 ：
EKC技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘锴
优先权 ：
CN200580045567.X
主分类号 ：
H01L21/3213
IPC分类号 ：
H01L21/3213 C11D11/00 C11D7/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
H01L21/3213
对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
法律状态
2014-12-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591991403
IPC(主分类) : H01L 21/3213
专利号 : ZL200580045567X
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20110615
终止日期 : 20131028
号牌文件序号 : 101591991403
IPC(主分类) : H01L 21/3213
专利号 : ZL200580045567X
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20110615
终止日期 : 20131028
2011-06-15 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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