本发明提供的一种工艺处理室以及光刻胶烘烤方法，涉及半导体技术领域，包括：间室本体上开设有进气口和出气口；承载板设置在间室本体的内腔；微波发生器设置在间室本体的内腔；其中，微波发生器与承载板相对设置。在上述技术方案中，在通过该工艺处理室进行加热的过程中，微波可以在短时间内对旋涂硬掩模层进行快速加热。所以，在整个高温加热的过程中，可以有效的保证旋涂硬掩模层的高温加热要求。微波短时间快速高温加热可以降低或避免对晶圆本身温度的影响，有效避免晶圆的温度短时间内快速上升或快速下降，避免晶圆发生破裂的问题，有效的提高晶圆的良率，不会使生产力下降，也能进行高温烘烤工艺。