半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体芯片掩模版光刻胶烘烤设备、半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质,半导体芯片掩模版光刻胶烘烤设备包括温度分析模块以及加热模块,加热模块包括加热板,用于对放置于加热板表面的掩模版执行烘烤操作,加热板包括温度控制阵列;温度分析模块用于根据在掩模版的PSM基板上形成的掩模图形确定PSM基板中的各个子区域的烘烤温度;温度控制阵列包括多个温度调节单元,温度调节单元与温度分析模块连接,用于将各个子区域的温度调节至对应的烘烤温度。通过将掩模图形各个栅格的图形分布密度进行比例换算成各个子区域的烘烤温度,为PSM基板的不同区域提供精准的烘烤温度,从而提高了掩模版的图像尺寸均匀性。
基本信息
专利标题 :
半导体芯片用相移掩模版光刻胶烘烤方法及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114488723A
申请号 :
CN202210340217.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-04-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
侯广杰柯汉奇叶小龙王栋
申请人 :
深圳市龙图光电有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区沙井街道新玉路北侧圣佐治科技工业园4#厂房一楼
代理机构 :
深圳市恒程创新知识产权代理有限公司
代理人 :
苗广冬
优先权 :
CN202210340217.1
主分类号 :
G03F7/40
IPC分类号 :
G03F7/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/26
感光材料的处理及其设备
G03F7/40
去除影像之后的处理,例如,烘干
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/40
申请日 : 20220402
申请日 : 20220402
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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