光刻返工方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种光刻返工方法，包括步骤：提供待返工的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件结构和位于器件结构上的光刻材料层，所述光刻材料层包括填充物材料层；先用有机溶剂对所述半导体衬底进行清洗，之后用SF6和O2的刻蚀气体依次进行等离子体刻蚀，最后采用单片式湿法清洗方法进行清洗，以去除所述光刻材料层。本发明提供的光刻返工方法可以适用于多种结构的光刻材料层的返工处理，即便是在处理仅含有填充物层的晶圆时，也能起到很好的返工效果而不会导致图形变形，适用性大大提高；也不会引入新的缺陷，有助于提高返工品质。
基本信息
专利标题 ：
光刻返工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114442444A
申请号 ：
CN202111591569.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐大朋
申请人 ：
季优科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J246室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202111591569.6
主分类号 ：
G03F7/42
IPC分类号 ：
G03F7/42 G03F7/09 G03F7/11 H01L21/033
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/26
感光材料的处理及其设备
G03F7/42
剥离或剥离剂
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/42
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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