晶片背面减薄的异常返工方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供的晶片背面减薄的异常返工方法，用于对未完成背面减薄的异常晶片进行返工。所述异常返工方法包括：提供径向尺寸与异常晶片相同的支撑片；将支撑片背面朝上的传送至对准工作台上；检测支撑片背面的中心且暂停晶背减薄机台；在支撑片的背面上形成水膜；将异常晶片正面朝下的放置在支撑片的背面上，且使得异常晶片和支撑片的边缘重合，水膜将异常晶片与支撑片粘合；启动晶背减薄机台，传送机械手从异常晶片的背面抓取异常晶片和支撑片，在提升设定高度后，暂停晶背减薄机台；将支撑片从异常晶片的正面剥离；再次启动晶背减薄机台，将异常晶片传递到相应的研磨工作台。如此，可以对异常晶片进行返工，有助于提高产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
晶片背面减薄的异常返工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334721A
申请号 ：
CN202111537647.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐永闵源
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202111537647.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 H01L21/68 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
