晶圆减薄设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶圆减薄设备，包括沿第一方向依次设置的装片区、第一传输区、工作区以及第二传输区，所述工作区并列设置有用于晶圆清洗的清洗模组和用于湿法减薄的减薄模组，所述第二传输区设置有晶圆中转装置，所述晶圆中转装置用于将经所述清洗模组和减薄模组中的一个处理之后的晶圆传输给另一个。利用本实用新型提供的晶圆减薄设备进行晶圆减薄时，通过晶圆中转装置的设置，一方面，使得晶圆无需返回原来的装片区即可连续进行清洗操作和湿法减薄操作，缩短了晶圆的传递路径，提高了生产效率；另一方面，减少了与晶圆接触的部件，优化了减薄工艺，降低了晶圆被污染的可能性。
基本信息
专利标题 ：
晶圆减薄设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920598026.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-28
授权号 ：
CN209766373U
授权日 ：
2019-12-10
发明人 ：
周至军高英哲张文福吕慧超
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201920598026.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 H01L21/687
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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