本发明提供一种晶背减薄的方法，所述方法包括如下步骤：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一背面；对所述半导体晶圆的背面进行研磨，以减薄所述半导体晶圆及初步改善所述半导体晶圆背面的平整度及粗糙度；在所述半导体晶圆的背面形成氧化物钝化层；对所述半导体晶圆背面继续进行化学机械研磨，使所述半导体晶圆的晶背减薄至预设厚度及使所述半导体晶圆的背面的平整度及粗糙度达到预设值。本发明优点是，在减薄晶圆的过程中采用机械研磨的工艺，并未采用酸式蚀刻，且在进行化学机械研磨之前形成氧化物钝化层，能够明显改善半导体晶圆的晶背的平整度及粗糙度，得到高品质的半导体晶圆。