晶圆的加工方法
公开
摘要
本发明涉及微电子技术领域，公开了一种晶圆的加工方法，包括：将所述晶圆加热至预设温度，并使所述晶圆保持所述预设温度；将融化的蜡涂在所述晶圆的正面；将所述晶圆的涂蜡后的正面粘贴在机台上；对所述晶圆的背部施加预设压力；对所述晶圆的背面进行研磨。采用本发明实施例，能够减少晶圆在磨底过程中发生碎裂的现象。
基本信息
专利标题 ：
晶圆的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284131A
申请号 ：
CN202011039462.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何小麟
申请人 ：
东莞新科技术研究开发有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市南城区宏远工业区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202011039462.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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