一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法
授权
摘要
本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a‑Ge和a‑Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火，实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。
基本信息
专利标题 ：
一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110690108A
申请号 ：
CN201910942951.3
公开（公告）日 ：
2020-01-14
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN110690108B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
柯少颖陈松岩黄东林周锦荣
申请人 ：
闽南师范大学;厦门大学
申请人地址 ：
福建省漳州市芗城区县前直街36号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
修斯文
优先权 ：
CN201910942951.3
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/324 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-02-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20190930
申请日 : 20190930
2020-01-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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