一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法，其是将Ge片和SOI片经表面处理后，分别在其上溅射一层a‑Ge薄膜，然后在大气中将两者进行贴合，放入退火炉中进行低温热退火，以实现高强度Ge/SOI的键合，再采用化学腐蚀结合化学机械抛光对键合的Ge片进行减薄抛光，以获得超高质量SOI基键合Ge薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110660654A
申请号 ：
CN201910941003.8
公开（公告）日 ：
2020-01-07
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN110660654B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
柯少颖陈松岩黄东林周锦荣
申请人 ：
闽南师范大学;厦门大学
申请人地址 ：
福建省漳州市芗城区县前直街36号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
修斯文
优先权 ：
CN201910941003.8
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20190930
申请日 : 20190930
2020-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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