用于选择性金属通孔填充的工艺集成方法
实质审查的生效
摘要
用于形成于基板上的互连结构的方法及装置及在该基板上形成该互连结构的方法。在实施方式中，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过设置在低k介电层的顶部上的硬质掩模，以形成穿过该低k介电层的通孔及暴露导电表面；将该导电表面与稀释的氢氟酸接触以从该导电表面移除污染物；移除设置在该低k介电层的顶部上的该硬质掩模；及向该导电表面施用远程氢等离子体以形成该导电表面的暴露部分。
基本信息
专利标题 ：
用于选择性金属通孔填充的工艺集成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270495A
申请号 ：
CN202080036748.0
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-05-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尤适任河梅裕尔·奈克徐翼陈枫
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080036748.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200520
申请日 : 20200520
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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