在金属填充工艺期减少线弯曲
公开
摘要
在特征填充期间减轻线弯曲的方法包括在填充期间沉积非晶层和/或抑制处理。
基本信息
专利标题 ：
在金属填充工艺期减少线弯曲
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600233A
申请号 ：
CN202080073650.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿南德·查德拉什卡郭磊杨宗翰
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN202080073650.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/285 C23C16/02 C23C16/04 C23C16/06 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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