用于改进通孔集成的自组装单分子层的应用
公开
摘要
公开了用于通过应用自组装单分子层（SAM）来制造IC结构的方法。一种示例IC结构包括：在支撑结构之上提供的三个金属化层的堆叠，其中第一金属化层包括底部金属线，第三金属化层包括顶部金属线，并且第二金属化层包括耦合在底部金属线与顶部金属线之间的通孔，其中第一电介质材料包围通孔的侧壁。一个或多个SAM的应用导致了通孔的侧壁的至少一部分被内衬有第二电介质材料，使得第二电介质材料处于第一电介质材料与所述通孔的导电材料之间，其中第二电介质材料的介电常数高于第一电介质材料的介电常数并且低于大约6。
基本信息
专利标题 ：
用于改进通孔集成的自组装单分子层的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388434A
申请号 ：
CN202111105612.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·布歇S·维亚斯A·S·乔扈里A·C-H·魏C·H·华莱士
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浩路
优先权 ：
CN202111105612.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/532
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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