通孔及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种通孔，包括：通孔开口以及将通孔开口完全填充的Ti层、胶水层和钨层；Ti层进行了退火处理使Ti层和通孔开口的底部的硅衬底发生硅化反应并形成TiSi层；钨层包括钨籽晶层和钨主体层；钨籽晶层覆盖在所述胶水层表面上；胶水层由TiN层组成并分成多个TiN子层，全部或部分TiN子层受到了退火处理，受到退火处理的TiN子层的颗粒的大小由对应的TiN子层的厚度限制且颗粒的大小限制为使钨籽晶层为连续结构。本发明公开了一种通孔的制造方法。本发明能采用和胶水层相组合的Ti层自对准形成TiSi层，同时能防止TiSi层的退火使胶水层产生较大的晶格颗粒，从而能使钨籽晶层为连续结构并防止钨层中出现缝隙。
基本信息
专利标题 ：
通孔及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420670A
申请号 ：
CN202011171786.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐建华曾招钦
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202011171786.5
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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