一种通孔免对位的功率器件及其制造方法
授权
摘要
本发明适用于半导体领域，提供了一种通孔免对位的功率器件及其制备方法，该器件包括衬底和外延层以及，在外延层上具有一深槽结构，深槽结构中从外向内依次包括绝缘层和栅极，深槽结构通过氧化使绝缘层沿深槽方向形成小于60度的斗状结构，其顶部覆盖有氧化层；在深槽结构外的外延层通过离子注入形成的源极和沟道；以及通过刻蚀氧化层形成的通孔，通孔连接源极和沟道形成欧姆接触。本发明通过氧化使功率器件的绝缘层沿深槽方向呈斗状结构，从而保证在刻蚀通孔时不受光刻最小线宽和对位精度的限制，有利于增加器件密度，降低功率器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种通孔免对位的功率器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108666361A
申请号 ：
CN201710211324.3
公开（公告）日 ：
2018-10-16
申请日 ：
2017-03-31
授权号 ：
CN108666361B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
曾大杰
申请人 ：
深圳尚阳通科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元
代理机构 ：
深圳中一专利商标事务所
代理人 ：
阳开亮
优先权 ：
CN201710211324.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/336 H01L29/786
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20170331
申请日 : 20170331
2018-10-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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