晶圆背面减薄方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种晶圆背面减薄方法包括如下步骤:步骤一、在具有台阶形貌的晶圆的正面表面贴上背面研磨保护膜。步骤二、对背面研磨保护膜的正面表面进行平坦化。步骤三、将晶圆固定放置在减薄机台的晶圆支撑盘上,晶圆通过背面研磨保护膜的平整的正面表面和晶圆支撑盘形成无缝隙且平整的接触。步骤四、对晶圆进行背面减薄,背面减薄过程中晶圆支撑盘提供的支撑力在晶圆面内分布均匀。步骤五、去除背面研磨保护膜。本发明能消除晶圆正面台阶形貌对背面减薄的不利影响,防止由于晶圆的受力不均产生的微裂缝和研磨速率差异,从而实现对晶圆的均匀减薄。

基本信息
专利标题 :
晶圆背面减薄方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496774A
申请号 :
CN202210084168.X
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
潘嘉郁新举
申请人 :
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
郭四华
优先权 :
CN202210084168.X
主分类号 :
H01L21/3105
IPC分类号 :
H01L21/3105  H01L21/304  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20220119
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332